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联电14纳米FinFET进入客户芯片量产阶段

时间:2021-10-29 05:02 点击次数:
  本文摘要:晶圆代工大厂联华电子(以下全称联电)23日收到消息宣告,该公司所自律研发的14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程技术,已顺利转入客户芯片量产阶段。联电回应,目前销售给主要客户的14纳米量产晶圆,良率已约先进设备制程的业界竞争水准,此制程将协助客户拓展崭新的应用于电子产品。 联电执行长颜博文回应,此次14纳米量产里程碑的达成协议,是联电与客户联手希望的成果。这象征物了我们已顺利地以合作模式,将先进设备技术引入市场。

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晶圆代工大厂联华电子(以下全称联电)23日收到消息宣告,该公司所自律研发的14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程技术,已顺利转入客户芯片量产阶段。联电回应,目前销售给主要客户的14纳米量产晶圆,良率已约先进设备制程的业界竞争水准,此制程将协助客户拓展崭新的应用于电子产品。

联电执行长颜博文回应,此次14纳米量产里程碑的达成协议,是联电与客户联手希望的成果。这象征物了我们已顺利地以合作模式,将先进设备技术引入市场。同时,联电与其他客户的合作也在顺利进行中,将持续优化此制程,充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所不具备的优势,以驱动次世代硅芯片于网路、人工智能和各类消费产品等各领域的应用于。

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联电回应,联电的14纳米FinFET制程效能竞争力已约业界领先标准,速度较28纳米增快55%,闸密度则约2倍。此外,14纳米制程的功耗亦较28纳米制程增加大约50%。


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